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Si8441DB
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
I D (A) e
Q g (Typ.)
FEATURES
? TrenchFET ? Power MOSFET
0.080 at V GS = - 4.5 V
0.102 at V GS = - 2.5 V
- 10.5
- 9.3
APPLICATIONS
? Low Threshold Load Switch for Portable Devices
RoHS
COMPLIANT
- 20
0.128 at V GS = - 1.8 V
0.198 at V GS = - 1.5 V
- 3.5
- 2.5
7.7 nC
- Low Power Consumption
- Increased Battery Life
0.600 at V GS = - 1.2 V
MICRO FOOT
- 0.5
B u mp Side V ie w
Backside V ie w
S
G
S
D
2
3
4
S
D
1
6
5
G
S
Device Markin g : 8 441
xxx = Date/Lot Tracea b ility Code
Orderin g Information: Si 8 441DB-T2-E1 (Lead (P b )-free)
D
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 20
±5
- 10.5
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
- 8.4
- 4.8 a, b
- 3.9 a, b
- 15
- 10.8
- 2.3 a, b
13
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
8.4
2.77 a, b
W
T A = 70 °C
1.77 a, b
Operating Junction and Storage Temperature Range
Package Reflow Conditions c
IR/Convection
T J , T stg
- 55 to 150
260
°C
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t = 10 s.
c. Refer to IPC/JEDEC (J-STD-020C), no manual or hand soldering.
d. In this document, any reference to case represents the body of the MICRO FOOT device and foot is the bump.
e. Based on T C = 25 °C.
Document Number: 74668
S-82119-Rev. C, 08-Sep-08
www.vishay.com
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